科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
β-Ga2O3作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga2O3单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga2O3单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga2O3单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga2O3单晶的电学性质及光学性质进行了综述。
- 单位
β-Ga2O3作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga2O3单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga2O3单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga2O3单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga2O3单晶的电学性质及光学性质进行了综述。
