退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响

作者：晏学飞; 邓江峡; 郑辉; 郑梁; 秦会斌

来源：电子世界, 2014, (05): 107-108.

• YIG
• 薄膜
• 退火条件

本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 杭州电子科技大学