Si C功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

作者：杨治美; 高旭; 李芸; 黄铭敏; 马瑶; 龚敏^*

来源：电子与封装, 2022, 22(05): 5-13.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0501

• 碳化硅
• 辐照诱生缺陷
• 深能级缺陷
• 电学性能
• 重离子辐照

第三代宽禁带半导体碳化硅（Si C）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了Si C功率器件辐照效应发展历程和辐照效应，梳理轻离（粒）子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律，分析总结重离子辐照Si C功率器件中一些关键技术问题，特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同，为今后深入开展Si C肖特基二极管（Schottky Barrier Diode,SBD）的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及Si C相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据。

• 单位
  四川大学; 辐射物理及技术教育部重点实验室