介绍了一种采用0.13μm CMOS工艺制作的适用于片上集成电路的温度传感器。分析了核心模拟电路和温度检测原理,对参考电压进行了斜率补偿,以取得更准确的温度检测性能。样品电路测试表明,在-55℃~125℃范围内,温度检测结果与实际温度基本吻合。