Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)

作者：徐大朋; 万里; 程新红; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉; 沈达身

来源：稀有金属材料与工程, 2011, (08): 1344-1347.

• HfO2
• Al2O3
• 60Co γ射线辐射 HfO2
• 60Co γ-ray irradiation

研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。

• 单位
  中科院上海微系统与信息技术研究所; 温州大学; 信息功能材料国家重点实验室