摘要

真空微型杜瓦内部需要高真空度来降低杜瓦与外界的热交换,保持探测器芯片低温工作温度稳定。不同杜瓦失效的真空度有一定的区别,本文通过对640×512 15μm及320×256这两种杜瓦组件进行不同真空度下的静态热负载测试,确定以上两种杜瓦结构的真空失效时的极限真空度。通过对比分析杜瓦组件的真空失效机理及实验数据,提出改进该结构杜瓦真空寿命的措施。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第十一研究所