用于近眼显示设备光栅中Cr的ICP刻蚀工艺研究

作者：王鹤鸣; 周燕萍^*; 左超; 杨秉君

来源：微纳电子与智能制造, 2022, 4(02): 93-98.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2022.02.093

• 增强现实
• 电感耦合等离子体刻蚀
• Cr材料
• 栅槽结构

随着全球信息化时代的到来,增强现实(AR)技术已经在军事、工业、教育、医疗等多个领域取得了重要应用。Cr材料因其良好的光反射率和热线性膨胀系数低的特点,被广泛应用在增强现实(AR)的近眼显示设备的光栅制备中。本文采用ULVAC公司生产的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备NE 550对Cr材料进行干法刻蚀工艺研究。实验中采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl2/O2作为工艺气体,通过对试验工艺参数的调整,探究ICP源功率、RF偏压功率、腔体压强以及气体流量对Cr、PR的刻蚀速率和Cr/PR选择比的影响。最后通过优化工艺参数,得到了底部平整、侧壁垂直的栅槽结构。