IGBT功率模块的一次性焊接工艺研究

作者：管功湖; 梁思平

来源：台州学院学报, 2018, 40(06): 45-49.

DOI：10.13853/j.cnki.issn.1672-3708.2018.06.008

• IGBT功率模块
• 封装技术
• 倒装工艺
• 一次性焊接工艺

在焊接式IGBT功率模块封装过程中,通常采用键合引线进行互联,采取两次真空焊接工艺,先进行芯片与DBC陶瓷板的焊接,再进行母排端子与DBC陶瓷板的焊接以及DBC陶瓷板和基板的焊接,焊接质量直接影响IGBT功率模块的可靠性。结合现有国内外IGBT功率模块的封装技术,研发IGBT功率模块的焊接前倒装工艺和一次性焊接工艺,可降低芯片热应力,减少模块热阻抗,焊接无空洞,提高可靠性;同时简化焊接工艺复杂度,实现IGBT功率模块的工业化批量生产,进一步降低产品成本。

• 单位
  台州学院; 临海市志鼎电子科技有限公司