奥趋光电在氮化铝单晶生长领域取得突破性进展

作者：王琪琨

来源：人工晶体学报, 2019, 48(05): 974.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.05.032

• 氮化铝单晶
• 宽禁带半导体
• 突破性进展
• 第三代

<正>应诺贝尔物理奖获得者天野浩教授为会议主席的组委会邀请,奥趋光电技术(杭州)有限公司在日本横滨4月23～25日举行的LED工业应用国际会议(LEDIA-2019)上,推出了直径60 mm氮化铝单晶及晶圆,该晶圆为迄今为止国内外见诸报道的最大尺寸氮化铝晶圆。检测结果表明,晶片的拉曼半高宽仅为2. 85