低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

作者：孙雷; 沈鸿烈; 李金泽; 吴天如; 丁古巧; 朱云; 谢晓明

来源：人工晶体学报, 2013, 42(12): 2589-2594.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.12.036

• 石墨烯
• Cu-In合金
• 化学气相沉积 graphene
• Cu-In alloy
• chemical vapor deposition

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 南京航空航天大学