<正>南京电子器件研究所基于自有的8寸硅基射频微系统工艺线,研制了一款工作在X波段输出功率1W的高集成度单通道硅基三维集成器件。该器件以高阻硅为原材料,结合TSV转接板、晶圆级键合、高密度RDL以及多层BGA POP等三维集成工艺技术,在8.5 mm×8.5 mm×3.0mm的体积内实现了GaAs多功能芯片、收发电源调制芯片、串并转换接口芯片以及IPD的一体化集成;该器件具备了相控阵T/R组件所需的收发信号的移相、衰减、放大、SPI控制、
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