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摘要
近年来，拓扑半金属材料在光电子学性质方面，特别是在低能光子的高性能光探测领域引起了广泛的研究兴趣。在众多的拓扑半金属中，关于第Ⅱ类狄拉克半金属的光电流响应研究尚不充分。通过第一性原理计算了第Ⅱ类狄拉克半金属 PtTe_2的能带结构及拓扑表面态，使用机械剥离法制备出层状 PtTe_2，通过微纳加工制成金属-PtTe_2-金属场效应晶体管，并进行了基于第Ⅱ类狄拉克半金属 PtTe_2的场效应晶体管器件在太赫兹波段的光电流响应研究，该器件对太赫兹具有明显的光响应，响应度达到了 3.85 A/W，等效噪声功率约为 4.81 pW·Hz~(-1/2)，表明其在低能尤其太赫兹波段有着广泛的应用前景。
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