基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究

作者：史安然; 周宇轩; 沈云; 张伟^*; 叶迎华; 沈瑞琪^*

来源：爆破器材, 2022, 51(05): 1-6.

• 纳米Al/CuO RMFs
• 半导体桥
• 阻挡层
• 电爆特性

界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素，直接影响纳米RMFs的反应性能。为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能，采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥(Al/CuO-ESCB)和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响。结果表明：增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间，增加ESCB的燃烧时间。

• 单位
  南京理工大学; 工业和信息化部; 江苏警官学院