氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展

作者：李伸虎; 李文涛; 陈卫民; 王捷; 吴懿平

来源：电子工艺技术, 2022, 43(04): 187-203.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2022.04.001

• Si3N4-AMB基板
• 制备工艺
• 空洞率
• 温度冲击
• 可靠性

随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展，具备更高可靠性的Si3N4-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板，成为SiC器件的首选。从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发，介绍了近年来Si3N4-AMB覆铜基板的研究现状，主要包括Si3N4-AMB覆铜基板的制备工艺、铜/氮化硅陶瓷界面的空洞率控制及高低温冲击可靠性三大方面。

• 单位
  广州先艺电子科技有限公司; 华中科技大学