研究H—,—O—,F—三种基团在Ti3C2表面的吸附,通过密度泛函理论模拟计算吸附后结构的电子性质和量子电容.结果表明:3个相邻C原子中心处的正上方是最佳吸附位;基团吸附可调制Ti3C2的电子结构;Ti3C2表面吸附H—基团的量子电容提升效果最好,且在负偏压下具有较高的电荷积累能力.
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