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摘要
本发明公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。LED阵列芯片中,四个发光单元通过金属线连接实现串联,金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；整个芯片表面都具有纳米孔。所述制备方法中,在使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时,沉积四层金属薄膜之后,新增一层介质薄膜；同时,采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料,在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；然后结合软膜纳米压印工艺,在整个凹凸起伏的芯片表面都可压印得到纳米孔图案,从而在整个芯片表面制备得到纳米孔；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率,整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化,都有利于光子模式的逸出,提高出光效率和调制带宽。
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