具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法

作者：田博博; 冯光迪; 郝胜兰; 朱秋香; 段纯刚

来源：2023-02-06, 中国, CN202310067915.3.

本发明公开了一种具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法,包括第一金属层、绝缘层、第二金属层和半导体层,第一金属层被配置为下电极,并具有正面和反面；绝缘层被配置为成型于第一金属层正面上,同时第一金属层正面的部分区域未被所述绝缘层覆盖、以形成为半导体沟道成型区域；第二金属层被配置为上电极,其成型于绝缘层背向第一金属层的正面上,同时第二金属层完全覆盖住绝缘层的正面；半导体层被配置为成型于半导体沟道成型区域与第二金属层朝向所述半导体沟道成型区域的一侧壁之间。该非对称MSM隧道结二极管具有超高的整流比、及宽温度工作范围等优点,且其制备方法简单、成本低,易于实施,安全、环保。