外电场对HMX/DMI共晶感度影响的理论研究

作者：王金鹏; 翟颠颠; 马鹏^*; 马丛明; 潘勇; 蒋军成; 朱顺官

来源：火炸药学报, 2020, 43(02): 133-138.

DOI：10.14077/j.issn.1007-7812.201905022

• 量子化学
• HMX/DMI
• 共晶
• 外电场
• 电子密度
• 分子表面静电势
• 引发键
• 高能量密度材料

为研究外电场对共晶含能材料HMX/DMI感度的影响,分别采用DFT-B3LYP-D3、M06-2X-D3和ωB97XD方法,在6-311+G(d, p)水平下,对HMX/DMI的稳定构型施加±0.005a.u.、±0.010a.u.、0.00a.u.的外电场,分析了电子密度转移、硝基基团电荷、分子表面静电势及引发键变化。结果表明,施加正向外电场时,电场强度越大,炸药感度越高。施加负向外电场时,电场强度越大,炸药感度越低;随着负向外加电场的增强,引发键电子云密度越大,引发键强度增大,导致HMX/DMI感度降低;负向外加电场增加,硝基基团所带负电荷由0.126e增至0.325e,感度降低;分子表面静电势研究分析表明,施加负向电场时,分子表面静电势增大,共晶感度降低;引发键变化分析表明,负向外加电场强度增加,引发键键长由0.1386nm降至0.1367nm,引发键键解离能由180.252kJ/mol增加到180.782kJ/mol,共晶化合物感度降低。

• 单位
  南京工业大学; 南京理工大学