低温烧结Ba3(VO4)2-xZnMoO4微波介质陶瓷研究

作者：高彬; 杨青慧; 张怀武

来源：压电与声光, 2014, 36(03): 455-457.

• Ba3(VO4)2
• ZnMoO4
• 微波介质陶瓷
• 低温烧结
• 介电性能
• 谐振频率温度系数

采用固相反应法制备了Ba3(VO)4-xZnMoO4陶瓷,研究不同ZnMoO4含量对Ba3(VO)4微观结构及介电性能的影响。X线衍射(XRD)测试结果表明,二者兼容性良好,无第二相产生;具有低熔点及相反(负)频率温度系数的ZnMoO4能有效降低Ba3(VO)4的烧结温度,同时调节温度稳定性。当x=8%(质量分数)时,所制陶瓷烧结温度约850℃,相对介电常数εr≈13,品质因数Q×f≈26 400GHz,谐振频率温度系数τf≈+3μ℃-1。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室