激光照射对IDTBT突触晶体管突触权重的调控

作者：杜世远; 杨倩

来源：半导体技术, 2022, 47(12): 985-990.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.008

• 晶体管
• 突触
• 权重
• 激光
• 茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)

人工突触晶体管具有低功耗、高可扩展性以及与生物突触的结构相似性，在人工智能领域展示出巨大的潜力。实现多功能突触晶体管的关键步骤之一是实现突触权重的调控。制备工艺复杂、调控方式繁琐和调节精度低是突触权重调控面临的主要问题。制备了基于茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)的有机突触晶体管，在绝缘层薄膜溅射完成后，利用激光对绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光照射强度对突触权重调控的影响，包括兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和长程增强(LTP),证明了激光照射可以调控绝缘层薄膜中氧空位的数量，从而精确调节突触权重。在不改变器件几何结构和材料的前提下，实现了室温环境下快速、精确的突触晶体管突触权重调控，为未来的神经形态计算硬件设计提供参考。

• 单位
  福州大学; 福建卫生职业技术学院; 福州大学至诚学院