摘要
为改善无片外电容LDO(Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO)的电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR),本文提出一种低静态电流PSR自适应优化方案.采用push-pull放大器,避免复杂的频率补偿电路与片外大电容,缩小了面积.为优化中频段PSR,在功率管栅极注入一个与频率相关的补偿电流.采用低静态电流的补偿电流动态调整方案,减小压差和负载电流变化对PSR优化效果的影响.该LDO基于0.11μm CMOS工艺,芯片面积为0.026 mm2.测试结果表明,在0.1~80 mA负载电流下,静态电流最大值为55μA.在8 kHz到1 MHz频率范围内,在不同压差和负载电流下,PSR最大优化值为21~37 dB.
- 单位