紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

作者：骆公序; 荆超; 汪于涛; 王丽; 沈佳俊

来源：应用激光, 2019, 39(06): 1002-1005.

DOI：10.14128/j.cnki.al.20193906.1002

• 激光应用
• 体硅工艺
• 激光直接加工
• 紫外皮秒激光

针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1μm,单次加工用时0.5 s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的200μm深度的三维结构。皮秒紫外激光体硅加工在工艺流程上更为简洁,加工效率高,对环境污染小,设备成本小。

• 单位
  上海市激光技术研究所