C波段GaN高功率放大器设计

作者：夏永平; 李贺; 魏斌

来源：电子与封装, 2018, 18(01): 34-38.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0009

• GaN HEMT
• 内匹配
• 功率放大器
• 功率合成

采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增益大于11 d B,功率附加效率大于48%,功率合成效率比达到90%。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所