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摘要
本专利公开了一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器,器件结构衬底自下而上依次为氧化物层、纳米半导体层、源电极,漏电极分别在纳米半导体层两侧,纳米半导体层其余部分被钝化介质层覆盖。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄硫化镉纳米带转移到具有氧化物层的硅衬底上,利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极,然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪钝化介质层,制备成低维纳米光电探测器。该探测器具有高灵敏、暗电流小、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
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本专利公开了一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器,器件结构衬底自下而上依次为氧化物层、纳米半导体层、源电极,漏电极分别在纳米半导体层两侧,纳米半导体层其余部分被钝化介质层覆盖。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄硫化镉纳米带转移到具有氧化物层的硅衬底上,利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极,然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪钝化介质层,制备成低维纳米光电探测器。该探测器具有高灵敏、暗电流小、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
