高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比

作者：王庆伟; 周建伟^*; 王辰伟; 王子艳; 张佳洁

来源：微纳电子技术, 2018, 55(11): 849-854.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2018.11.012

• 钌(Ru)
• 氮化钽(TaN)
• 化学机械抛光(CMP)
• 双氧水
• 去除速率

Ru/TaN双分子层已经逐渐成为替代传统双分子阻挡层Ta/TaN的最佳选择,而在不同氧化体系中针对Cu,Ru和TaN三种金属去除速率的研究并不多。分别在H2O2和KIO4两种氧化体系中,通过化学机械抛光(CMP)和电化学研究了Cu,Ru和TaN的去除速率及去除机理。测试结果表明:H2O2和KIO4均可以通过氧化Cu,Ru和TaN三种金属的表面从而提高三种材料的去除速率。不同的是,使用KIO4作为氧化剂可以得到一个更高的Ru去除速率和更高的去除速率选择性,其原因为Ru在KIO4溶液中更易于形成可溶的RuO4-和RuO42-离子。此外,通过原子力显微镜(AFM)分别测试了Cu,Ru和TaN三种金属的表面粗糙度,结果表明:对比KIO4,在H2O2抛光体系中Cu,Ru和TaN可以得到更好的表面质量。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学