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摘要
微型发光二极管被认为是下一代显示技术，但到目前为止，主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制，拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率，对刻蚀损伤的耐受能力也更强，是提升红光微型发光二极管性能的极具潜力的技术路线。通过使用渐变组分超晶格与掺杂蓝光量子阱的复合结构作为预应变层，拓展了InGaN量子点样品的发光波长，获得了芯片尺寸20～100μm的微型发光二极管器件，其峰值波长和外量子效率随电流密度的变化跟尺寸的依赖关系不明显。40～100μm的微型发光二极管在<1 A/cm2的小注入电流密度下发光峰值波长在610～650 nm，验证了量子点技术作为红光微型发光二极管潜在技术路线的优势。
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