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摘要
本发明公开了一种基于铁电材料的半导体掺杂方法,主要解决现有掺杂方法精度低、均匀性差及对半导体材料有晶格损伤的问题。其实现方案是：1)使用包含不同的铁电元素的气体作为前驱体,利用原子层淀积工艺在半导体衬底上生长一层5-15nm厚的相应铁电材料；2)使用不同的金属靶材,利用磁控溅射工艺在铁电材料上生长一层50-100nm的相应金属电极；3)在金属电极上施加正脉冲电压或负脉冲电压,以控制铁电材料的剩余极化电荷,在半导体衬底中诱导出相应的电子或空穴,完成对半导体的掺杂。本发明提高了半导体材料的掺杂精度、掺杂均匀性及掺杂浓度,避免了对半导体材料的晶格损伤,可用于微电子器件的制备。
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