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摘要
研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比,PVX2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质。
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研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比,PVX2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质。
