制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响

作者：胡凌桐; 张万里; 彭斌^*; 张文旭

来源：电子元件与材料, 2018, 37(08): 26-35.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.005

• NiFe薄膜
• Ta缓冲层
• AMR效应
• 真空磁场退火
• 磁控溅射
• 超薄金属薄膜

NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室