本发明公开了一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法,主要为了解决传统Ⅲ#V材料的器件只能应用于硬质平面环境,无法应用于柔性环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体功能薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5),其中衬底采用柔性衬底；半导体薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有工作频率高的同时,具有良好的延展和弯曲性,可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。
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