基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法

作者：许晟瑞; 王学炜; 李文; 郝跃; 张进成; 李培咸; 张春福; 马晓华; 毕臻

来源：2019-01-18, 中国, CN201910048503.9.

本发明公开了一种基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法,主要解决现有光电转换结构对光的吸收率低,导致制作太阳能电池时效率不高的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、GaN段落生长层(3)、n型GaN层(4)、InxGa1-xN层(5)和p型GaN层(6),其中GaN段落生长层(3)是由多段厚度相同的GaN自下而上堆叠而成,其总厚度为2-3μm,段落数为2到4段。本发明的光电转换结构中由于采用GaN段落生长层代替传统结构中的未掺杂GaN层,提高了整体材料质量和对光的吸收效率,可用于制作高效率的太阳能电池。

• 单位
  西安电子科技大学