利用射频磁控溅射方法,在单晶MgO(100)及缓冲层异质结构基底上沉积La掺杂的xBiInO3-(1-x)PbTiO3薄膜。通过调控靶材配比和溅射参数,研究了溅射中由于基底加热造成的溅射过程中的薄膜失铅、失铋现象,同时对磁控溅射参数进行了调控和研究,得到了优化的溅射制备条件。利用XRD、SEM、EDS、铁电分析仪等仪器,并对不同BiInO3组分对薄膜性能的影响进行研究,包括对薄膜的生长取向、形貌、铁电性和居里温度等进行研究,获得综合性能良好的高铁电性、高居里温度的铁电薄膜。
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