摘要
以高纯氧化物为原材料,采用液相外延法(LPE)制备直径3英寸、厚度20μm以上的掺杂钇铁石榴石(YIG)单晶薄膜,通过离子掺杂对薄膜的饱和磁化强度进行调控,范围为800~1750 G。X射线衍射分析表明薄膜仅有单一衍射峰,且半高宽值约为0.007°。磁性能测试结果表明,制备的薄膜饱和磁化强度可宽幅调控,且呈现明显的平面磁各向异性。同时对薄膜的截面及表面形貌进行观测,发现薄膜与衬底间界面清晰,薄膜表面粗糙度小于1nm,离子掺杂均匀,为后续的器件应用打下良好的基础。
-
单位中国电子科技集团公司第九研究所