氧化镓基器件异质界面陷阱密度的提取方法

作者：谢选; 郝伟兵; 刘琦; 周选择; 徐光伟^*; 龙世兵

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2022, 52(09): 47-52.

• β-氧化镓
• 界面陷阱密度
• 异质界面

高性能的半导体功率器件依赖于金属/半导体、半导体/半导体或者半导体/绝缘体间的高质量界面的形成.本文报道了三种提取β-氧化镓(β-Ga2O3)基器件界面陷阱密度(Interface Trap Density, Dit)的方法,分别用于肖特基势垒二极管(SBD)、PN异质二极管和金属/氧化物/半导体电容(MOS Capacitor).利用对应频率下的电容-电压和电导-电压特性获得了Ni-SBD金半界面的陷阱密度.本文还引入了导纳谱(Admittance Spectroscopy, AS)分析NiO/β-Ga2O3PN二极管的界面陷阱密度.精确的高-低频电容法则用于MOS Capacitor的Dit测量.本文验证的界面态测量与提取方法为氧化镓器件界面处理提供量化手段,同时为获得高性能氧化镓器件指明方向.

• 单位
  中国科学技术大学