一种采用BiCMOS工艺的SiGe HBT基区生长方法

作者：杨洪东; 李竞春; 于奇; 周谦; 谭开州; 张静

来源：固体电子学研究与进展, 2009, (04): 589-592.

• 锗硅基区
• 渐变温度控制
• 图形外延
• 锗硅BiCMOS SiGe base
• gradual temperature control
• pattern epitaxial
• SiGe BiCMOS

为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学