污秽绝缘子表面干区形成的影响因素

作者：梁飞; MacAlpineMark; 关志成; 张若兵

来源：高电压技术, 2012, (10): 2604-2610.

• 污闪
• 干区
• 等值附盐密度(ESDD)
• 等值附灰密度(NSDD)
• 平板模型
• 人工污秽试验 pollution flashover
• dry-band
• equivalent salt deposit density(ESDD)
• non-soluble deposit density(NSDD)
• flat plate model
• artificial pollution test

干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明:随着等值附盐密度(ESDD)的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度(NSDD)的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形...

• 单位
  清华大学深圳研究生院