钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理

作者：黄攀; 王传彬; 沈强; 张联盟

来源：稀有金属材料与工程, 2011, 40(S2): 468-471.

• 钛酸铋薄膜
• 磁控溅射
• 退火处理

采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室