BiSnO2/GO电催化膜的制备及其性能研究

作者：李雪燕; 邓宇; 赵蕾; 邓橙^*; 郝丽梅; 刘红斌; 朱孟府^*

来源：膜科学与技术, 2020, 40(02): 53-66.

DOI：10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2020.02.008

• 电催化膜
• 铋掺杂二氧化锡
• 氧化石墨烯
• 大肠杆菌

采用电化学-水热法,以聚四氟乙烯(PTFE)微孔膜为支撑,制备Bi掺杂SnO2修饰氧化石墨烯(GO)的电催化膜(Bi-SnO2/GO),通过SEM、TEM、EDS、XRD、LSV、EIS、CV等手段对其结构及性能进行表征,并考察了其对水中大肠杆菌的去除效果.结果表明,当Bi/Sn摩尔比为1∶15、电沉积电压为2.0 V时,制备的Bi-SnO2/GO催化膜的析氧电势为1.75 V,Bi-SnO2/GO膜表面均匀分布着纳米Bi-SnO2粒子,粒子尺寸约为10.4 nm,Sn和Bi元素的质量分数分别为11.28%和3.59%;当外加直流电压为2.5 V且连续运行5 h时,Bi-SnO2/GO催化膜对水中大肠杆菌的去除率达到96.82%,表明Bi掺杂SnO2显著提高了GO基电催化膜的电性能及对大肠杆菌的去除性能(～62.0%).

• 单位
  材料学院; 天津科技大学