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摘要
本文阐述了基于Ga As工艺的一种新颖FET驱动器结构。此类FET驱动器可以和Ga As MMIC相集成,主要应用于控制SPMT开关、多位数控衰减器、数控移相器。通过优化电路结构,经流片测试,本次设计的驱动器电路能够在输入TTL逻辑电平的条件下,输出高低电平分别位-4.8 V和-0.02 V,达到了设计目标,满足Ga As MMIC电路控制电平的要求。
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本文阐述了基于Ga As工艺的一种新颖FET驱动器结构。此类FET驱动器可以和Ga As MMIC相集成,主要应用于控制SPMT开关、多位数控衰减器、数控移相器。通过优化电路结构,经流片测试,本次设计的驱动器电路能够在输入TTL逻辑电平的条件下,输出高低电平分别位-4.8 V和-0.02 V,达到了设计目标,满足Ga As MMIC电路控制电平的要求。
