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摘要
为实现碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块在辐照环境下的可靠工作,提出一种抗辐照SiC MOSFET封装结构。利用能抵抗电子辐照的高原子序数材料(即高Z材料),结合双面焊接结构,将外部的辐照电子屏蔽,以实现模块的抗辐照加固。该结构中抗辐照材料与芯片距离较近,尽可能降低了抗辐照材料的冗余,实现在提高模块抗电子辐照能力的同时尽可能降低模块整体重量和体积,以适应在航空航天领域的应用。该结构消除了传统封装中的键合线,降低了模块的寄生电感。通过电子辐照实验后对阈值电压和动态特性的测试验证了研制的抗辐照SiC MOSFET模块的抗辐照能力相比传统封装模块得到显著优化。
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单位电子工程学院; 华中科技大学
