AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的蚀坑研究

作者：马杰华; 朱世富; 赵北君; 赵国栋; 杨帆; 陈宝军; 何知宇

来源：新疆大学学报(自然科学版), 2009, 26(02): 200-202.

• AgGa1-xInxSe2晶体
• 腐蚀
• 金相显微镜
• 蚀坑形状

晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法.用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小.结果表明:采用HNO3:HCl=1:2.5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑.发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础.

• 单位
  四川大学