高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究

作者：刘兵; 蒲红斌^*; 赵然; 赵子强; 鲍慧强; 李龙远; 李晋; 刘素娟

来源：人工晶体学报, 2020, 49(04): 570-575.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.04.002

• PVT法
• 6英寸N型4H-SiC
• 数值模拟
• 温场分布
• 晶体品质

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm-2,电阻率范围为0.02～0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。

• 单位
  西安理工大学