摘要

根据实际芯片设计中阱临近效应的应用,详细解析了先进工艺下的阱临近效应的机理,分析了由于受到EDA工具限制在设计初期阶前仿真结果可能出现误差的原因。通过研究阱临近效应的数学模型,推导出一种优化的算法,提出了一种新的方法用以减小仿真中的误差,并得到了仿真结果验证。在测试电路中,误差从最大7%减小到了0.01%。

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