本发明公开了一种铯锡碘薄膜的制备方法及基于其的光伏器件,该薄膜是以SnI4与CsAc为原料制得Cs2SnI6粉末后,再经喷涂工艺沉积在目标基底上获得。本发明所得Cs2SnI6薄膜均一致密,以其作为光吸收层制作光伏器件,工艺简单、无污染,原材料丰富、廉价,特别适合制备大批量、低成本太阳能电池,因而有利于推动无机钙钛矿太阳能电池的发展与应用。