富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

作者：韩应宽; 杨瑞霞; 孙聂枫; 王书杰; 王阳; 李晓岚; 孙同年

来源：半导体技术, 2016, 41(12): 939-944.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.011

• 磷化铟
• 液封直拉(LEC)法
• 晶体生长
• 富铟夹杂
• 光荧光谱(PL-Mapping)

通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片。用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨率XRD射线衍射技术研究了富铟非掺InP单晶样品特性。结果表明,在富铟条件下生长的InP单晶会出现富铟夹杂,这种富铟夹杂可导致其周围位错密度升高,同时富铟夹杂在晶片内分布也是不均匀的,在晶片中心部分富铟夹杂的密度高,在边缘部分密度低。对富铟夹杂形成及不均匀分布的原因进行了分析,讨论了富铟夹杂对PL-Mapping发光峰峰值的影响。

• 单位
  电子信息工程学院; 中国电子科技集团公司第十三研究所; 河北工业大学; 专用集成电路重点实验室