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摘要
利用微机械剥离法制备了α-In2Se3基柔性晶体管,本文研究了该晶体管在60Coγ射线辐照至吸收剂量为100 krad(Si)时的光电性能,基于对α-In2Se3纳米片元素组成、表面形貌、声子模式及畴结构的精细表征,分析了γ射线辐照该晶体管的损伤机制,并研究了通过弯曲引入的面内应变对光电性能的调控作用,通过计算载流子浓度的变化,探讨了应变调控光电性能的机理。结果表明,γ射线辐照诱导产生的缺陷可能是导致α-In2Se3基柔性光电晶体管性能退化的主要原因;在压缩应变为-0.402%、光功率密度为14.34 mW·cm-2时,辐照后α-In2Se3基柔性晶体管的光响应性为辐照后无应变时的8.26倍,证明静态应变调控是提高辐照环境下基于2维铁电材料光电探测器光响应性能的有效途径。
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