PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究

作者:孙硕; 胥超; 冯煜东; 肖剑; 张福甲
来源:光电子.激光, 2007, (05): 529-532.
DOI:10.3321/j.issn:1005-0086.2007.05.006

摘要

将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率。结果表明衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小。

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