基于SCR的SOI ESD保护器件研究

作者：夏超; 王中健; 何大伟; 徐大伟; 张有为; 程新红; 俞跃辉

来源：功能材料与器件学报, 2012, (01): 17-22.

• SOI ESD
• SCR
• Sentaurus
• 保护器件 SOI ESD
• protection device

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所