分子束外延GaAs基M-HEMT与Si基HEMT材料研究

作者：马奔^*; 沈逸凡; 王伟; 于海龙; 尹志军; 高汉超; 李忠辉

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(03): 230-238.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.03.007

• HEMT
• 二维电子气
• Si基

在GaAs基渐变缓冲层高迁移率晶体管(M-HEMT)器件中，二维电子气的输运性能对器件性能有决定性作用。系统研究了GaAs M-HEMT材料中不同In组分沟道和生长温度对沟道电子迁移率和薄层电子浓度的影响。结果表明，沟道In组分为0.65时，材料电学性能最好；提高生长温度能有效提高材料的迁移率。为了后续将Si CMOS技术与HEMT材料结合实现高集成度应用，将M-HEMT结构外延在硅衬底上并得到了初步的研究结果，室温下电子迁移率为3 300 cm2/(V·s)，薄层电子浓度为4.5×1012cm-2。