一种超宽带硅基MEMS射频收发组件

作者：陆宇^*

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(06): 480-485.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.06.004

• 体硅MEMS工艺
• 超宽带
• 系统级封装
• 收发组件

基于体硅微电子机械系统（MEMS）工艺，采用系统级封装（SiP）技术，研制了一款覆盖C-Ka频段高密度集成的射频收发组件。组件集成了宽带功率放大器、宽带低噪声放大器、宽带I/Q混频器、宽带频率源等多个芯片。同层信号传输采用接地共面波导传输线，不同层间信号互联采用硅通孔形成的类同轴结构，实现了射频信号宽带低损耗传输；通过有源芯片硅基内微腔分离化设计和大量接地硅通孔，实现了射频信号间的隔离和屏蔽。实测结果表明：在6～30 GHz的频带内，SiP组件的发射功率≥36.2 dBm，发射增益≥34 dB；接收噪声系数≤2.4 dB，接收增益≥31 dB，体积仅为19.9 mm×19.9 mm×1.3 mm，实现了小型化和收/发/源一体化集成。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十研究所